BSS119N H7796
Hersteller Produktnummer:

BSS119N H7796

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSS119N H7796-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5

Inventar:

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12935483
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BSS119N H7796 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
20.9 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23-3-5
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
6,918
Andere Namen
2156-BSS119N H7796
INFINFBSS119N H7796

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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